Hollandalฤฑ รงip ekipmanlarฤฑ รผreticisi ASML, mevcut teknolojisinin รงip boyutu sฤฑnฤฑrฤฑnฤฑ aลmak amacฤฑyla รถnde gelen รงip รผreticileriyle birlikte รงalฤฑลacaฤฤฑnฤฑ aรงฤฑkladฤฑ. ลirketin geliลtirdiฤi “High NA” adlฤฑ yeni nesil EUV litografi araรงlarฤฑ, daha ince devre hatlarฤฑ basabilse de kullandฤฑฤฤฑ daha kรผรงรผk maske nedeniyle ลu an iรงin sฤฑnฤฑrlฤฑ bรผyรผklรผkte รงip รผretebiliyor. ASML, bu sฤฑnฤฑrฤฑ ortadan kaldฤฑracak yeni maske teknolojisiyle ilgili pilot hattฤฑ 2031 yฤฑlฤฑna kadar gรถstermeyi, teknolojiyi yรผksek hacimli รผretime hazฤฑr hale getirmeyi ise 2033 yฤฑlฤฑna kadar tamamlamayฤฑ planlฤฑyor.
ASML’nin litografi teknolojisi nasฤฑl รงalฤฑลฤฑyor
ASML, litografi araรงlarฤฑ รผretiyor. Bu cihazlar, รงip deseninin iลlendiฤi bir maskeden ฤฑลฤฑk geรงirerek sรถz konusu deseni silikon gofretler รผzerine basฤฑyor. ลirketin yaygฤฑn olarak kullanฤฑlan aลฤฑrฤฑ ultraviyole (EUV) araรงlarฤฑ, yaklaลฤฑk 800 kare milimetreye kadar bรผyรผklรผkte รงip basabiliyor. Nvidia ve Google gibi ลirketler, รงip tasarฤฑmlarฤฑnฤฑ bu รผst sฤฑnฤฑra kadar geniลletiyor.
ASML’nin geliลtirmekte olduฤu High NA EUV araรงlarฤฑ ise daha ince รถzellikli รงipler basabiliyor. Ancak bu araรงlar, daha kรผรงรผk bir maske kullandฤฑklarฤฑ iรงin basabilecekleri รงip bรผyรผklรผฤรผ konusunda ลimdilik bir sฤฑnฤฑrla karลฤฑ karลฤฑya.
TSMC ve Samsung yeni teknolojiye ne zaman geรงecek
Tayvanlฤฑ รงip รผreticisi TSMC, bu hafta yaptฤฑฤฤฑ aรงฤฑklamada ASML’nin High NA teknolojisini geliลmiล dรผฤรผm seviyesindeki yรผksek hacimli รผretimde 2030 yฤฑlฤฑndan itibaren kullanmayฤฑ planladฤฑฤฤฑnฤฑ belirtti. Gรผney Koreli Samsung ise High NA EUV teknolojisini DRAM bellek รงiplerinin yรผksek hacimli รผretimine 2028 yฤฑlฤฑna kadar dahil etmeyi hedefliyor.
ASML Baล Teknoloji Sorumlusu Marco Pieters, Reuters’a yaptฤฑฤฤฑ deฤerlendirmede sektรถrรผn bu geรงiลi baลarฤฑyla tamamlamasฤฑ durumunda sรถz konusu sistemlerin verimliliฤinin yรผzde 40 artacaฤฤฑnฤฑ vurguladฤฑ.
| ลirket | Teknoloji | Hedef Tarih |
|---|---|---|
| TSMC | High NA EUV (geliลmiล dรผฤรผm, yรผksek hacimli รผretim) | 2030 |
| Samsung | High NA EUV (DRAM bellek รงipleri) | 2028 |
| ASML | Yeni maske teknolojisi (pilot hat) | 2031 |
| ASML | Yeni maske teknolojisi (yรผksek hacimli รผretim) | 2033 |
ASML’nin High NA EUV teknolojisi mevcut sistemlerden farkฤฑ nedir?
High NA EUV araรงlarฤฑ, standart EUV sistemlerine kฤฑyasla daha ince devre hatlarฤฑ basabiliyor. Ancak kullandฤฑklarฤฑ maske daha kรผรงรผk olduฤu iรงin basabilecekleri รงip bรผyรผklรผฤรผ ลu an sฤฑnฤฑrlฤฑ kalฤฑyor. ASML, bu sฤฑnฤฑrฤฑ kaldฤฑracak yeni maske teknolojisini geliลtirmeyi planlฤฑyor.
Yeni teknoloji sektรถre ne kazandฤฑracak?
ASML Baล Teknoloji Sorumlusu Marco Pieters’e gรถre sektรถr, yeni maske teknolojisine geรงiลi baลarฤฑyla tamamlarsa High NA EUV sistemlerinin verimliliฤi yรผzde 40 oranฤฑnda artacak.
